16.12.2010  Новости, Компоненты и комплектующие

Компания Samsung Electronics объзаявила о разработке модуля памяти RDIMM емкостью 8 Гб класса 40 нм на базе экологичной технологии Green DDR3 DRAM. Сообщается, что по сравнению с предыдущими разработками модуль отличается значительно большей производительностью, в основном за счет использования трехмерной технологии формирования многоуровневой структуры чипа TSV (Through-silicon via). Технология TSV подразумевает использование в кремниевой плате вертикальных микронных отверстий с медной заливкой. При использовании такого вида соединения вместо традиционного значительно увеличивается скорость передачи информации. Многочисленные пользовательские тесты доказали готовность технологии TSV от Samsung к использованию с различными серверными приложениями, которые требуют высокой производительности и больших энергозатрат. Как ... читать далее.