23.09.2008  Новости

Корпорация IBM (www.ibm.com) совместно с партнерами — компаниями AMD, Freescale, STMicroelectronics, Toshiba и Колледжем научных и прикладных исследований в области нанотехнологий (College of Nanoscale Science and Engineering, CNSE) при университете штата Нью-Йорк в Олбани — объявили о получении первых в мире действующих элементов памяти типа SRAM (статическая память с произвольным доступом) с технологической нормой 22 нм. Действующие образцы модулей были изготовлены из 300-мм подложек на исследовательском комплексе в Олбани. Полученная ячейка SRAM имеет обычную конструкцию на основе шести транзисторов; ее площадь всего 0,1 кв. мкм, что существенно меньше, чем у предшествующих ячеек этого типа. Традиционно повышение плотности микросхемы SRAM достигается за счет уменьшения размеров его основного компоновочного блока (ячейки). Специалисты IBM и партнеров ... читать далее.