20.08.2008  Новости, Идеи и практики автоматизации, Компоненты и комплектующие

Корпорация IBM совместно с компаниями AMD, Freescale, STMicroelectronics, Toshiba и крупнейшим американским научно-исследовательским институтом CNSE представила действующие образцы модулей статической оперативной памяти с произвольным доступом, выполненные с соблюдением 22-нм техпроцесса. Площадь прототипа ячейки SRAM, в состав которой входят 6 нанотранзисторов, составляет 0,1 мкм2. Создание 22-нм ячейки памяти SRAM является ключевым достижением для дальнейшей миниатюризации электронных компонентов, так как ячейки статической оперативной памяти — необходимый элемент, применяемый в процессорах для временного хранения обрабатываемого потока данных. Таким образом, следующим шагом станет создание процессоров на базе 22-нм технологии. По словам представителей IBM, инженерам удалось осуществить прорыв благодаря не только ... читать далее.