11.05.2007 НовостиКорпорации Intel и Micron Technology объявили о начале выпуска их совместным предприятием IM Flash Technologies опытных партий многоуровневых модулей (Multi-Level Cell, MLC) флэш-памяти класса NAND, созданных на основе 50-нанометровой производственной технологии. Опытные образцы микросхем, изготовленные по 50-нанометровой технологии MLC, будут иметь емкость 16 Гбит и пополнят семейство продукции на базе 50-нанометровой технологии SLC (Single-Level Cell), в которое входят модули емкостью 4 Гбит, уже поставляемые обеими компаниями. Новые модули MLC NAND стали результатом сотрудничества компаний Intel и Micron на протяжении последнего года. За этот период создана сеть современных заводов по выпуску 300-миллиметровых подложек для производства флэш-памяти. Так, наряду с выпуском модулей флэш-памяти NAND на заводах корпорации Micron в г. Бойсе (шт. Айдахо) и в г. Манассас (шт ...
читать далее.
