27.04.2007 НовостиКорпорация Toshiba объявила о своем прорыве в визуализации движения электронов и примесей в полупроводниках, впервые позволяющей провести анализ пути распространения зарядов с точностью до 1 нанометра. Это достижение, основанное на сканирующей микроскопии сопротивления растекания (SSRM) позволит существенно ускорить переход 45-нм и более высокоточные техпроцессы. Технология SSRM применяется для двумерного картографирования сопротивлений в наноэлектронике. Для создания чипов по технологии 45 нм и более точным методикам необходима возможность контроля за примесями с точностью 1 нм, тогда как разрешение традиционной технологии SSRM ограничено 5 нм. Специалистам Toshiba удалось снизить помехи от попадающего на образец водяного пара, поместив его в вакуумную камеру и обеспечить стабильный контакт между образцом и ...
читать далее.
