16.08.2005 НовостиТЕХНОЛОГИИКак известно из физики полупроводников, регулируя ширину запретной зоны (она определяется разницей энергетических состояний проводящего и валентного электронов), можно менять быстродействие биполярных транзисторов. Именно этой закономерностью вызван интерес технологов к таким экзотическим полупроводникам, как арсенид галлия и фосфат индия. Однако дороговизна подобных материалов и отлаженность кремниевого техпроцесса заставляют компании находить другие способы сужения запретной зоны. Один из них - применение кремния, легированного германием (SiGe). Установка для эпитаксиального наращивания SiGe на 200 мм пластиныКомпания IBM Microelectronics (www.chips.ibm.com) начала работы над использованием полупроводника SiGe еще в 1995 г. в своем технологическом исследовательском центре в местечке Хоупвэлл Джанкшн, шт ...
читать далее.
