10.01.2005  Новости

Олег Спиряев Исследователи и аналитики уже не раз предсказывали, что в ближайшие годы процесс миниатюризации микросхем достигнет физических пределов, которые уже нельзя преодолеть. Однако до сего дня ни одно из подобных предсказаний не сбылось. Высокая степень интеграции позволяет год от года наращивать мощность микропроцессоров и выпускать кристаллы памяти, способные хранить миллионы бит данных. Так, в августе прошлого года корпорация Intel (http://www.intel.com) сделала значительный шаг в развитии технологии производства микросхем нового поколения, выпустив на базе производственной технологии 65 нм первые полнофункциональные микросхемы памяти стандарта SRAM (Static Random Access Memory) емкостью 70 Мбит, содержащие более 0,5 млрд транзисторов. Таким образом, Intel продолжает выполнять свой план перехода на новые производственные ... читать далее.