16.08.2016  Новости, Серверы и системы хранения

Компания Samsung Electronics на конференции Flash Memory Summit 2016 (FMS) объявила о выпуске прототипов решений флэш-памяти нового поколения. Компания продемонстрировала память 4-го поколения Vertical NAND (V-NAND) и линейку высокопроизводительных твердотельных накопителей с большой емкостью корпоративного класса, а также накопитель Z-SSD — новое решение с уровнем производительности флэш-накопителя. 64-слойная флэш-память V-NAND (трехуровневые ячейки) 4-го поколения позволяет расширить возможности памяти NAND с точки зрения масштабирования, производительности и объемов накопителей. Память V-NAND 4-го поколения Samsung включает на 30% больше слоев матриц элементов по сравнению с предшествующей моделью. Благодаря 64 слоям матриц элементов в новой памяти V-NAND можно увеличить плотность на кристалл до уровня 512 Гбайт (по утверждению производителя ... читать далее.