20.08.2013 НовостиSSD корпоративного класса производства Samsung ёмкостью 960 Гб
Недавно компания Samsung заявила о готовности наладить выпуск твердотельных накопителей, работающих на базе 3D-чипов памяти типа V-NAND. Новые чипы характеризуются 128-Гбит плотностью и используют структуру вертикальных ячеек, а также технологию 3D Charge Trap Flash (CTF) и вертикальные межсоединения, пронизывающие трёхмерный массив ячеек. По сравнению с обычной флэш-памятью технология 3D V-NAND позволяет увеличить надёжность работы накопителей (в 2—10 раз) и скорость передачи данных (до двух крат). На августовском форуме Flash Memory Summit 2013 производитель представил серию первых в мире SSD-накопителей корпоративного класса на трёхмерных микросхемах 3D V-NAND ёмкостью 480 и 960 Гб. Они предназначены для использования в серверах и оборудовании для центров обработки данных. Накопители выполнены в форм-факторе 2,5 дюйма, их размеры — 100х70х7 мм ...
читать далее.