25.04.2005  ИТ-рынок

Компании Advanced Micro Devices и IBM сообщили о сотрудничестве в области новой технологии напряженного кремния, позволяющей увеличить быстродействие транзисторов. В совместном заявлении, сделанном накануне открытия конференции IEEE International Electron Devices в Сан-Франциско, эта технология была названа «прорывом», который приведет к увеличению скорости транзисторов на 24% без повышения уровня рассеиваемой мощности. Метод напряженного кремния будет использоваться в сочетании с технологией «кремний на диэлектрике» (КНД), разработанной IBM ранее и также обеспечивающей повышение производительности. AMD сообщила, что планирует интегрировать эти технологии во все свои 90-нм платформы к середине 2005 г., т. е. примерно к тому времени, когда она выпустит свой первый двухъядерный процессор. «Я думаю, что повышение быстродействия при ... читать далее.