08.02.2008  Новости

Корпорация SanDisk Corporation совместно с японской компанией Toshiba сообщили о запуске производства NAND-памяти на базе технологии многоуровневых ячеек (Multi-Level, MLC) по 43-нанометровому техпроцессу. Новый технологический процесс обеспечивает вдвое большую плотность чипа по сравнению с 56-нм техпроцессом. Такой подход позволяет снизить стоимость кристалла, но при этом сохранить высокую производительность и надежность памяти. Корпорация SanDisk намерена начать поставки одночиповой флэш-памяти NAND с самой высокой на сегодняшний день плотностью хранения информации в течение II квартала нынешнего года. Сначала планируется выпускать 16-гигабитные чипы, а во второй половине года — и 32-гигабитные. Изначально 43-нм флэш-память будет производиться на недавно запущенном совместном предприятии SanDisk и Toshiba по выпуску 300-мм кремниевых ... читать далее.