05.02.2008  Новости

Компании Intel и Micron анонсировали высокоскоростные модули памяти NAND-флэш. Согласно заявлению разработчиков, их производительность превышает параметры существующих чипов примерно в пять раз. Первые образцы одноуровневых (SLC) чипов емкостью 1 Гб уже распространяются Micron среди OEM-партнеров и производителей контроллеров. В каталоге вендора также значатся 2- и 4-Гб модули. Ожидается, что массовые поставки модулей начнутся уже в этом году. В январе комитет Open NAND Flash Interface опубликовал спецификации ONFI 2.0. Описываемый ими интерфейс имеет пропускную способность до 133 Мб/с, обеспечиваемую за счет использования давно применяемой производителями чипов DRAM технологии DDR и повышения тактовой частоты кристаллов. Новая разработанная Intel и Micron архитектура позволила создать чипы, функционирующие на еще больших частотах. В ... читать далее.