22.03.2017 Новости
По всей видимости, новый накопитель предназначен для тех сфер применения, где минимизация задержек является одним из важнейших параметров; в частности, для баз данных
В то время как Intel и Micron связывают будущее твердотельных накопителей с памятью 3D XPoint, компания Samsung придерживается более традиционного подхода и продолжает планомерно наращивать скорость работы привычной флэш-памяти NAND — Z-SSD. Первое и единственное упоминание твердотельных накопителей на основе новой флэш-памяти NAND пока что датируется летом прошлого года. И вот теперь на выставке Cloud Expo в Лондоне Samsung поведала о характеристиках первого прототипа на базе Z-SSD. Тестовый образец с интерфейсом PCIe называется MZ-PJB8000 и имеет емкость 800 Гб. Благодаря использованию памяти Z-NAND и новому контроллеру (о нем информации пока нет) задержка сократится на 70% по сравнению с современными SSD c NVMe. На линейных операциях Z-SSD упирается в возможности интерфейса PCIe 3.0×4: и при записи, и при чтении он может развивать ...
читать далее.
