05.08.2015 Новости
SanDisk заявляет, что первой в мире разработала технологию 3D NAND емкостью 256 Гб с тремя битами на ячейку и 48 слоями
Прорывы в технологии 3D NAND продолжают двигать ее вперед. 4 августа компании SanDisk и Toshiba представили свою новую микросхему 3D NAND емкостью 256 Гб с тремя битами на ячейку и 48 слоями. Когда она станет доступна — вопрос открытый. Хотя в СМИ утверждается, это случится в начале следующего года, Toshiba сообщила только, что «начало ее поставок в составе продуктов SanDisk ожидается в 2016 г.». По словам представителей SanDisk, эта микросхема 3D NAND предназначается для использования в широком спектре продуктов потребительского и корпоративного класса, в т. ч. в мобильных устройствах. Еще в марте SanDisk и Toshiba представили первую в мире 48-слойную микросхему флеш-памяти Bit Cost Scalable (BiCS). На тот момент она имела объем 128 Гб и два бита на ячейку, а также трехмерную структуру из расположенных слоями ячеек. Теперь разработчики ...
читать далее.
