28.12.2012 Новости, Идеи и практики автоматизации21 декабря агентство Синьхуа сообщило о технологическом прорыве китайских ученых из IMECAS (Институт микроэлектроники Китайской академии наук). На базе материала с высоким значением диэлектрической проницаемости и металлического затвора исследователи создали полевые транзисторы с шириной затвора 22 нм. Следующий шаг — создание 22-нм микросхем с низким энергопотреблением и высокой производительностью. Новая технология уменьшит зависимость Китая от зарубежных технологий и повысит конкурентоспособность на мировом рынке. Ближайший конкурент китайских разработчиков, тайваньская компания TSMC, готовится к выпуску микросхем по 20-нм техническому процессу, “перепрыгнув” отметку 22 нм. Компания говорит о 25%-ной экономии энергопотребления и 30%-ном повышении производительности по сравнению со своими ...
читать далее.
