19.12.2007 Новости, Идеи и практики автоматизации, Компоненты и комплектующиеГонка в полупроводниковом микромире продолжается IBM объявила о разработке в содружестве со своими партнерами — AMD, Chartered Semiconductor Manufacturing, Freescale, Infineon и Samsung — новой технологии, позволяющей перейти к производству следующего поколения компьютерных микрочипов по 32-нм технологическому процессу. Принципиальным новшеством здесь является материал транзисторного затвора — не кремниевый, а металлический с высокой диэлектрической постоянной k (технология “high-k/metal gate”). По данным разработчиков, это позволяет уменьшить ток утечки транзистора и тем самым сократить тепловыделение, обуславливающее недопустимый перегрев микрочипа, состоящего из сотен миллионов (а в дальнейшем и миллиардов) транзисторов. Новая разработка имеет принципиальный характер, ибо позволяет мировой микроэлектронике выйти из тупика, в ...
читать далее.
