10.09.2007 НовостиКомпании Toshiba и SanDisk открыли фабрику Fab 4 по производству 300-мм кремниевых пластин для флэш-памяти NAND на предприятии Yokkaichi Operations, строительство которой началось в августе 2006 г. Фабрика построена таким образом, чтобы минимизировать возможные последствия от стихийных бедствий. При конструировании здания использовались современные технологии, обеспечивающие частичное (на две трети) поглощение энергии ударов подземных толчков при землетрясениях. Кроме того, предприятие оснащено несколькими независимыми энергогенераторами, которые моментально включаются в работу при малейшем сбое энергоснабжения, например, в результате удара молнии. Строительство Fab 4 было профинансировано корпорацией Toshiba, а закупка и установка производственного оборудования осуществлялась на деньги совместного предприятия Flash Alliance ...
читать далее.
