02.03.2006 НовостиКомпания Freescale Semiconductor разработала первое пригодное для практического использования устройство, сочетающее высокое быстродействие полупроводников на основе арсенида галлия (GaAs) с преимуществами традиционной МОП-технологии. МОП-технология, базирующаяся на кремнии, лежит в основе почти всех широко используемых в настоящее время микроэлектронных изделий. Однако несовместимость диоксида кремния и других диэлектриков с арсенидом галлия препятствовала созданию промышленно пригодных МОП-изделий на основе GaAs. Freescale удалось найти подходящие материалы, и это препятствие было устранено. Как надеются специалисты компании, эта разработка позволит создать новые классы усилителей мощности и маломощных сверхскоростных полупроводников, что даст возможность значительно снизить размеры и увеличить ...
читать далее.
