27.09.2005 НовостиКомпания Fujitsu объявила о доступности для разработчиков технологии создания микросхем по 65-нм проектным нормам, предназначенной для выпуска заказных интегральных схем высокой степени интеграции и систем на кристалле (SoC). Фактически у Fujitsu имеется два 65-нм техпроцесса — CS200 и CS200A, у которых размер затвора у транзистора составляет 30 нм. т. е. на 25 % меньше затвора, полученного по старой 90-нм технологии CS100. В новых транзисторах используются слои силицида никеля вместо силицида кобальта и аморфного кремния, применявшихся в 90-нм процессе. У силицида никеля сопротивление меньше, что дает возможность увеличить скорость переключения транзистора. Оба процесса позволяют использовать 11 слоев медных соединений, и это означает, что можно разрабатывать сложные системы на кристалле. Кроме того, в обоих случаях ...
читать далее.
