23.03.2005 НовостиКоллектив ученых из института Philips Research объявил о достижении существенного прогресса в разработке твердотельной памяти, в которой используется фазовый переход в халькогенидном стекле, легированном теллуридом сурьмы. Им удалось значительно снизить напряжение, при котором сменяется состояние материала Переключение между аморфным и кристаллическим состояниями происходит при напряженности электрического поля 14 В на микрон. Это значит, что для переключения состояния полоски длиной 50 нм требуется напряжение около 0,7 В -- примерно такими показателями и будут обладать ныне создаваемые кремниевые микросхемы. В твердотельной памяти, разрабатываемой компанией Philips, используются сверхтонкие пленки, нанесенные на поверхность кремния, через которые пропускается ток, в результате чего изменяется их фазовое ...
читать далее.
