02.08.2022  Новости, Исследования и разработки

Широко употребляемые сегодня обозначения технологических норм изготовления полупроводниковых микросхем, такие как 7 нм, 5 нм, 3 нм и т. д., – не более чем маркетинговые наименования. По объективным причинам фотолитография не позволяет выйти при формировании полупроводниковых кристаллов на подлинно измеряемый единицами нанометров уровень детализации. Зато просвечивающая электронная микроскопия – позволяет; правда, пока что от серийного массового производства эта технология чрезвычайно далека. Команда исследователей из Международного центра наноархитектоники материалов (WPI-MANA) недавно сообщила о создании первого в мире по-настоящему наноразмерного транзистора с характерной длиной канала (расстоянием от истока до стока заряда) 2,8 нм. Достигнут этот уровень миниатюризации был фактически вручную, с ... читать далее.