Уважаемые партнеры! Приглашаем вас принять участие в маркетинговой акции Yealink «Бонус на связи!». Период действия акции: 01 декабря 2025 г. – 31 декабря 2025 г. – За закупку IP-телефонов и гарнитур Yealink вам будут начисляться бонусы. – Для каждой модели предусмотрен ...
Уважаемые партнеры! Treolan предлагает вам принять участие в программе по продукции Netac. Совершая покупку продукции Netac в Treolan, вы можете получить подарочные сертификаты федеральных сетей на ваш выбор. Для участия в программе необходимо зарегистрироваться
Предновогодняя распродажа Datalogic стартовала! Специальное предложение до конца 2025 года — на ручные и стационарные сканеры Datalogic действуют эксклюзивные цены! Прямо сейчас к оперативной отгрузке со склада PROWAY доступны: Ручной беспроводной сканер Datalogic QuickScan QBT2500-BK-BTK1 Данная ...
Получите кешбэк 5% на закупку новых моделей корпусов CBR до 8 декабря: CBR V201 — 260 x 165 x 353 мм, 2×HDD + 2×SSD, видеокарта до 250 мм, 2×USB 2.0; CBR V203 — 260 x 165 x 353 мм, 2×HDD + 2×SSD, видеокарта до 250 мм, USB 2.0, USB 3.0; CBR V205 — 260 x 165 x ...
Уважаемые партнеры! Приглашаем вас принять участие в промопрограмме по продукции НИИ «Масштаб». Покупая хотя бы одну лицензию виртуализации, а также любые другие решения НИИ Масштаб в Treolan, вы получаете подарочный сертификат на ваш выбор. Для участия в программе необходимо зарегистрироваться
Простота интеграции в архитектуры массивов NAND и NOR обеспечила транзисторной флэш-технологии доминирующие позиции на рынке как самой успешной энергонезависимой памяти. Однако при попытках совместить в такой памяти высокую производительность с механической гибкостью разработчики сталкиваются с серьёзными проблемами, и в первую очередь с нехваткой гибких диэлектрических слоёв, отвечающих за туннелирование и блокирование зарядов. Обработка в растворе, используемая для изготовления большинства полимерных диэлектрических слоёв, не приспособлена для формирования бислойной диэлектрической структуры, необходимой для работы флэш-памяти. Ученые Корейского института передовых технологий разработали новую технологию создания гибкой флэш-памяти. В качестве подложки для такой памяти могут использоваться гибкие полимеры или бумага. Созданная исследователями память, как и обычная флэш-память, состоит из транзисторов, в которых помимо управляющего есть плавающий затвор. Именно он и отвечает за хранение информации: при отсутствии заряда на нем транзистор проводит ток, а при наличии — нет. В предложенной исследователями схеме сток и исток состоят из алюминия и кальция, канал — из фуллеренов C60, а оба затвора (управляющий и плавающий) — из алюминия. В результате того, что в качестве материалов диэлектриков между затворами и каналом исследователи выбрали два полимера, транзистору требуется относительно небольшое напряжение для записи (около 10 В), и, по расчетам, он может сохранять значение ... читать далее.
