10.11.2017 Новости, Идеи и практики автоматизации
Как и обычная флэш-память, созданная корейскими исследователями память состоит из транзисторов, в которых помимо управляющего затвора есть ещё и плавающий
Простота интеграции в архитектуры массивов NAND и NOR обеспечила транзисторной флэш-технологии доминирующие позиции на рынке как самой успешной энергонезависимой памяти. Однако при попытках совместить в такой памяти высокую производительность с механической гибкостью разработчики сталкиваются с серьёзными проблемами, и в первую очередь с нехваткой гибких диэлектрических слоёв, отвечающих за туннелирование и блокирование зарядов. Обработка в растворе, используемая для изготовления большинства полимерных диэлектрических слоёв, не приспособлена для формирования бислойной диэлектрической структуры, необходимой для работы флэш-памяти. Ученые Корейского института передовых технологий разработали новую технологию создания гибкой флэш-памяти. В качестве подложки для такой памяти могут ...
читать далее.
