12.03.2014  Новости

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) расширила линейку 24-нм флэш-памяти BENAND с одноуровневыми ячейками (SLC) NAND и встроенным 8-разрядным механизмом коррекции ошибок (ECC). Новые модули SLC BENAND объемом 8 Гбайт позволяют производителям применять 24-нм технологию в устройствах, рассчитанных на использование модулей 4xnm NAND. Это увеличивает срок службы бытовой электроники, мультимедийных устройств, интеллектуальных измерительных приборов и систем освещения, а также промышленного оборудования. Модуль BENAND освобождает главный процессор от нагрузки, связанной с коррекцией ошибок, позволяя конструкторам использовать технологию флэш-памяти NAND. Для облегчения перехода в новом модуле BENAND такие элементы, как размер страницы/блока, размер резервной области, команды, интерфейс и корпус, соответствуют устаревшим модулям 4xnm SLC NAND. Цена ... читать далее.