19.01.2016 Новости
Микросхемы оперативной памяти стандарта HMB2 созданы на основе 20-нм техпроцесса
Samsung Electronics, второй по величине в мире производитель полупроводников, начал массовое производство модулей памяти стандарта HMB2 объёмом 4 Гб, предназначенных для использования в серверах и для рендеринга графики. Как сообщает компания, пропускная способность памяти HBM2 способна повысить скорость передачи данных в семь раз, что крайне важно для высокопроизводительных вычислений, машинного обучения, обслуживания сетей и серверов. Структура новых микросхем Samsung 4GB HBM2 DRAM состоит из буфера, поверх которого размещено четыре 8-Гбит ядра DRAM-памяти. В каждом из них сделано более 5000 TSV-отверстий — это в 36 с лишним раз больше, чем в самых современных микросхемах 8 Гб TSV DDR4. Благодаря этому существенно повышается производительность передачи данных. Например, в новинках этот показатель достигает 256 Гб/с, в решениях ...
читать далее.
