06.05.2013  Новости

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства 128-гигабитных чипов памяти NAND на базе 3-разрядных многоуровневых ячеек (MLC) с использованием технологического процесса класса 10 нм. Высокопроизводительный чип позволяет разрабатывать решения памяти высокой плотности, например, встроенную память NAND и твердотельные диски (SSD). ПО словам представителей корпорации, новый чип памяти – это критически важный этап в развитии флэш-памяти NAND, и своевременный запуск его производства повысит конкурентоспособность Samsung на рынке памяти высокой плотности. Флэш-память 128Gb NAND от Samsung создана на базе 3-разрядных многоуровневых ячеек и технологического процесса 10 нм. Она обеспечивает самую высокую плотность записи данных в отрасли и позволяет передавать данные со скоростью 400 Мбит/с на базе интерфейса Toggle DDR 2.0 ... читать далее.