17.03.2008 ИТ-рынок, Идеи и практики автоматизации, ИТ-бизнесВ начале марта IBM и Hitachi объявили о подписании соглашения о проведении совместных исследовательских работ в области полупроводников. Соглашение заключено на два года и предусматривает необходимость концентрацими сил на разработке 32-нм технологии полупроводникового производства и следующего поколения транзисторов. Инженеры фирмы IBM, корпорации Hitachi и ее дочернего подразделения Hitachi High-Technologies, специализирующегося на разработке технологического оборудования для полупроводникового производства, планируют проведение исследований в США — в исследовательском центре IBM им. Томаса Уотсона (IBM Thomas J. Watson Research Center), расположенном в городе Йорктаун-Хайтс (Yorktown Heights), и в нанотехнологическом колледже CNSE (College of Nanoscale Science and Engineering) Университета города Олбани. Представители обеих компаний полагают, что объединение ...
читать далее.