04.04.2015  Новости, Серверы и системы хранения

Компании Micron Technology и Intel объявили о доступности технологии 3D NAND, позволяющей создавать флэш-память с самым высоким в мире уровнем плотности размещения ячеек памяти. Как известно, хранение данных на основе флэш-памяти используется в сотовых телефонах и других мобильных устройствах, в самых легких ноутбуках и быстрых ЦОД. Новая технология, совместно разработанная Intel и Micron, использует ячейки с плавающим затвором и с высоким уровнем точности размещает слои ячеек для создания решений хранения данных, которые будут иметь втрое большую емкость по сравнению с устройствами на базе технологии NAND. Это позволяет хранить больше данных при более компактных размерах флэш-накопителей. Планарная флэш-память NAND практически достигла максимальных возможностей масштабирования, что создает сложности для отрасли производства памяти. Новая методика проектирования позволяет сохранить актуальность закона Мура для флэш-памяти, что даст возможность на протяжении длительного времени увеличивать ее скорость работы, сокращать расходы и более широко использовать флэш-накопители. Один из наиболее важных аспектов новой технологии – создание принципиально новых ячеек памяти. Разработчики выбрали ячейки с плавающим затвором, универсальную технологию, которая на протяжении многих лет использовалась при массовом производстве планарной флэш-памяти. Этот проект стал первым примером использования ячеек с плавающим затвором для трехмерной памяти на базе технологии 3D NAND. Новая ... читать далее.